硅基负极材料因具有较高的充放电容量而备受瞩目。sio是硅基材料中最具商业应用意义的材料。目前sio生产硅碳棒厂家采用的钳祸和硅碳棒均选用高纯石墨材质，存在腐蚀问题。在本研究中，我们对高真空下常规钳祸材质(石墨、刚玉、碳化硅、氮化硼、氮化铝和氮化硅)和常规硅碳棒材质(石墨棒、硅碳棒和硅钥棒)在sioo生产过程平衡产物分布情况进行模拟。结果表明碳化硅仅在温度超过ioso ℃时发生较少量的腐蚀.而氮化硼在温度高于ii}o℃时不被腐蚀.在温度低于mo℃时会被腐蚀生成sioNc)和B.该物相不与反应物料进一步反应。综合考虑其成本.so生产的反应容器材质宜选用sic。对于硅碳棒材质的选择，硅碳棒和氧化气氛预处理后的硅钥棒均具有较少的腐蚀倾向，但从加热温度考虑，sioo生产的硅碳棒材质宜选用预处理后的硅碳棒。

        SiO合成方法有热蒸发法、湿化学法和高能机械球磨法三种。目前，国内硅碳棒厂家大多采用高纯硅粉与高纯石英粉混合，在高真空度且高温条件下进行反应，生成Si U。考虑到反应温度较高，SiU企业采用高纯石墨作为反应容器及硅碳棒的材质，但仍遇到了材料腐蚀导致的生产过程不稳定及产物损失问题。

        本文以常规增祸材质及硅碳棒材质出发，通过热力学模拟不同材质在Si0生产过程可能发生反应的平衡产品的分布情况，以确定该材质可能发生的腐蚀状态。最后，通过热力学模拟，提出适用于Si0生产的增祸材质及硅碳棒材质。如图2所示。由图2可知，在to Pa下，sic)的理论生成温度降至1 160 ℃，远低于常压状态下的1868 ℃，因此国内主流Si0生产硅碳棒厂家均在10 Pa条件下生产SiO,  Si0的生产温度可降至约1400 ℃。目前Si0生产硅碳棒厂家采用间歇生产模式，使用的硅碳棒及反应容器材料为高纯石墨，在生产过程中存在着腐蚀的情况，造成生产波动。基于此，我们对反应容器及硅碳棒材质进行分析，为Si0反应过程设备选择提供理论支持。http://www.guitanbang.net.cn/

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