重结晶硅碳棒的结构属于高温半导体结构，它的主要原料是碳化硅，硅碳棒具有半导体特性。重结晶硅碳棒产品中，硅碳棒晶相总含量在99%以，其基本结构单元都是由硅和碳组成部分的四而体结构，原子处于结构的，周围是C原子之间主要是以共价键结合。了日是Si原子存在一定的电负性差，囚此当二者结合时，原子土的价电子有过渡到去的倾向间又具有少部分的离几键的性质测试表明，硅碳棒存在大约12%的离子键。因此硅碳棒部分离子键性质决定了它具有导电性。

        硅碳棒结构复杂，变体多，各种变体之间的差别在于Si和C形成的Si, C双层以不同的排列重复周期结合。其形式有平行结合和反平行结合两种。平行结合为“as”次序，反平行结为“ab”次序。a -硅碳棒最常见的结构为由组成的层状排列次序，为六方晶体。

        硅碳棒的部分离子键性质决定了它有导电性。另一方面，硅碳棒中常含有N, P,As等五价杂质和A1, B等三杂质。五价杂质含有五个价电子，进入具有四个价电子的硅碳棒晶格时，这些杂质就有多余的电子，硅碳棒电子具有电子导电的性质。三价杂技只有三个价电子，在构成硅碳棒晶格时具有接受电子的能力，它以空穴方式导电。硅碳棒中还有少量的Si和C，因它们分别放出电子和接受电子，也会使硅碳棒导电性增强。总体而言，硅碳棒是以电子导电为主，而且表现为非线性。

硅碳棒的高温失效机理

        探讨硅碳棒的高温失效方式和损坏机理，对于改善其使用性能，提高使用温度和寿命以及开发新型硅碳棒都是非常有必要的。硅碳棒与的反应主要有以下两种若按5-1式进行，则生成具有保护功能的二氧化硅膜，随着反应的进行，二氧化硅的膜越来越厚，但反应速度越来越慢。若按式5-2进行，则生成的是多孔且易挥发的Si0，随着反应的进行，样品质量不断减少。

        在硅碳棒耐火材料制备阶段和初期氧化以及氧分压高Ii寸，硅碳棒材料的表面氧化容易形成保护层。由于度的变化以及机械的保护层易发生损伤，现裂纹或保护层剥落。在这必己下，没有被氧化的硅碳棒部分将会六出，似袄部分立刻被氧化，形成新的保护层。这个过程反复发生，氧化缓慢地进行下去。而且再生的保护层主要是SiO，体积比硅碳棒大。在小裂纹内被氧化时，认为会使裂纹部分扩展，进而产生新的小裂纹，氧化将缓慢进行下去。如果保护层不发生损伤，则氧化充分被抑制，长期地缓慢的氧化，保护层变得更厚、更坚固。结果使氧沿内部扩散的速度降低。http://www.guitanbang.net.cn/

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