异形硅碳棒试样导电率的关系图。从图中可以看出，在大颗粒的百分含量较少(60-70时，大颗粒粒径大的异形硅碳棒试样的电阻率要比粒度小的电阻率低，随着大颗粒百分含量的增加，异形硅碳棒试样的电阻率降低。以120伽m为大颗粒级配时，在其用量为700时电阻率最低，为0.405S2.cm，而以平均粒径为80伽m,60如m的异形硅碳棒试样在大颗粒用量为72%时，电阻率最低，分别为0.314S2.cm,0.426S2.cm。而后电阻率随大颗粒用量增加而增大。重结晶异形硅碳棒的导电率与异形硅碳棒内部的气孔率有关。当大颗粒用量较低时，则细颗粒在异形硅碳棒中的百分比率较高，充分地填充在大颗粒之间，但是细粉所占体积大，堆积的孔隙率较高，当细粉在烧结蒸发后，形成较多的空隙，致使产品的体积密度较低，气孔率较高，当加载电压时，异形硅碳棒试样中的气孔相当于许多导电势垒，因此产品的电阻率较大。当大颗粒百分比率较高时，则细粉用量较低，不能充分的填充大颗粒间的空隙，烧结时细颗粒的量太少，不足于将大颗粒连接起来，在部分大颗粒间形成间隙，造成产品的电阻率增加。因此，只有在大颗粒与细颗粒在最佳级配时，即粗、中、细颗粒粒径为80伽m,10如m时，用量比为7.2:1:1.8材料的致密度高，气孔率较低时，才能使产品的电阻率最低。由于碳化硅是痔性料，其大颗粒的粒径和百分含量影响着泥料的成型性能，造成产品在成型时坯体本身致密度和气孔率的差异，而引起材料导电性能的不同。但是当材料气孔率相同时，大颗粒的粒径增加有助于异形硅碳棒的电阻率降低。在本实验中，当大颗粒料径为800um并达到最佳级配时，异形硅碳棒样品的孔隙率最低，产品的电阻率最低。

        取四个异形硅碳棒试样，在1400℃高温下的硅钥炉中做氧化实验。其中2,3,4号试样的密度分别为2.446g/cm,2.442g/cm,2.443g/cm，气孔率大致相同，但是级配时大颗粒分别为60如m,80伽m,120如m。异形硅碳棒试样1为80伽m为粗颗粒的异形硅碳棒试样，密度为2.482g/cm。其结果如图5-4所示。在高温下碳化硅很容易发生以下氧化反应:通过测量SiC反应后产生CO:气体屯量随时间的变化，得出SiC表面生成的Si()_膜的厚度a的平力一时间的关系服从抛物线规律，即>-=kt+C，其表观活化能为66士Sk防nol，并认为CO或C()-通过SiO,层的扩散为该过程的控制步骤。在SiC异形硅碳棒试样的氧化初期，其反应迅速发生，在异形硅碳棒试样的表面生成一层致密的Si02膜，保护内层的SiC，进一步的氧化取决于氧气扩散穿过SiO层进入内部的速度，随着时间的增加，SiOz层越来越厚，越来越致密。由于氧在SiOZ中扩散的速度很低(自扩散系数1.3X10)，随着Si02氧化膜的厚度增加，氧气扩散进入内部的速度也越来越慢，SiC的氧化速度也随之变慢如图5-4所示，异形硅碳棒试样开始氧化时速度较快，以后逐渐变慢，其与时间的关系与抛物线相似，这与RobertFAdamsky的理论相吻合。http://www.guitanbang.net.cn/

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