对比两种硅碳棒布棒方式，当硅碳棒直径较小时，三环排布明显比四环排布的炉内气体流速低，尤其是在还原炉中下部最为明显。而当硅碳棒直径增加到140 mm时，在垂直高度较低的位置四环排布仍比三环排布炉内气体流速高，但当垂直高度逐渐增加时，两种硅碳棒布棒方式的炉内气体流速相差不大。分析可知，当硅碳棒直径较小时，还原炉内供气体流动的区域较多，不会过多限制气体在炉内各方向的流动，但四环排布的进气口是3层排布，明显较三环排布的两层进气口排布合理，因此四环排布气体流速更高。当硅碳棒直径较大时，气体的可流动空间受到限制，使两种排布方式的气体只能沿硅碳棒之间的间隙向上运动，在垂直位置较低时气体还来不及向周围扩散，因此四环排布气体速度高于三环排布，但随着垂直位置的升高，两种硅碳棒布棒方式的炉内平均气体流速相差不大。

        分析图可知，这两种硅碳棒的排布方式下，还原炉内的平均温度均随硅碳棒直径的增大而不断增大，炉内进气孔位置温度最低，硅碳棒附近温度最高。分析原因可知，还原炉内的温度主要靠高温的硅碳棒表面炉内传递热量，因此硅碳棒表面的温度是最高的。而随着硅碳棒直径的不断增大，硅碳棒的表面积也不断增大，因此硅碳棒可向炉内传递热量的表面积增加，使得炉内的平均温度不断升高。而进气口位置温度最低是因为该处气体刚进人炉内，气体需吸收足够的热量后才能达到还原炉内平均温度。

        可知，随着炉内垂直高度的增加，两种硅碳棒布棒方式下的炉内温度都有不同程度的增加。对比两种硅碳棒布棒方式，当硅碳棒直径较小时，三环排布在不同垂直高度的炉内温度都高于四环排布;而随着硅碳棒直径的不断增加，两种硅碳棒布棒方式的炉内温度之间的温度差逐渐变小。结合图可知，还原炉内温度主要靠高温硅碳棒表面传热，当硅碳棒直径较小时，三环排布的还原炉内气体流速比四环排布的流速小，其在还原炉内的气体循环力相较于四环排布弱，导致在硅碳棒附近的气体停留时间更长，吸收更多热量。而当硅碳棒直径较大时，两种硅碳棒布棒方式下的炉内温度差逐渐变小，这是因为两种硅碳棒布棒方式下炉内气体流速相差不大，使得在硅碳棒附近的气体停留时间相差不大，所以两种硅碳棒布棒方式下炉内温度也相差不大。http://www.guitanbang.net.cn/

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