可知，两种布硅碳棒方式的总辐射损耗与硅碳棒直径呈正相关。对比两种布硅碳棒方式可知，当硅碳棒直径为60 mm时，总辐射耗损相差不大，硅碳棒直径逐渐增大，四环排布的总辐射损耗明显更多。分析可知，在四环排布中，有两环硅碳棒的辐射损耗是随着硅碳棒直径的增加而持续增大的，而在三环排布中仅有一环硅碳棒的辐射损耗随硅碳棒直径的增大一直增大，因此四环排布方式相比于三环排布方式的辐射总损耗更大。

        可知，随着硅碳棒直径的增加，两种布硅碳棒方式下的还原炉总能耗一直在增大。比较可知，三环排布的还原炉总能耗相比较于四环排布的总能耗来说更低，且随着硅碳棒直径的增加，这种现象愈加明显。结合对流损耗以及辐射损耗分析可知，当硅碳棒直径较小时，三环排布的对流损耗大于四环排布，但三环排布的总能耗仍低于四环排布，由此可知，在还原炉总能耗中辐射损耗占主导地位。综上，减少硅碳棒环数可有效降低还原炉的总能耗。

        1)设计了两种布硅碳棒方式的还原炉物理模型(三环排布、四环排布)，分析对比不同硅碳棒布硅碳棒方式下多晶硅还原炉的棒行为与炉行为。

        2)在还原炉内，随着垂直高度的增加，气体流速逐渐降低，尤其在炉顶处气体分布较少。同时，当硅碳棒直径逐渐增大时，气体流速在靠近炉壁的过程中会出现先增后减的变化趋势。此外，还原炉内的平均温度与硅碳棒直径之间存在正相关关系，即随硅碳棒直径的增加炉内平均温度升高。

        3)对流传热能耗受炉内气体流速以及温度共同影响，炉内对流传热损耗与硅碳棒直径呈正相关。根据已有数据可知，三环排布比四环排布的对流损耗增加得更少，能更有效地减少对流损耗，因此可通过减少硅碳棒排布环数达到降低对流损耗的目的。在还原炉中，相对内环的硅碳棒辐射能耗随硅碳棒直径的逐渐增加呈先增大后减小的变化趋势。炉内辐射强度、相对外环硅碳棒辐射能耗以及还原炉总能耗与硅碳棒直径呈正相关，但三环排布的总能耗增加更少，因此通过减少布硅碳棒环数可有效降低还原炉辐射能耗。http://www.guitanbang.net.cn/

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