由于在沉积多晶硅的过程中，等直径硅碳棒在高温下，对于热应力比较差，对于温度的波动很敏感。当温度波动较大时，等直径硅碳棒容易发生裂棒，甚至倒棒，因此必须对等直径硅碳棒的温度进行实时精确控制。而由前面分析知，最能直接快速控制温度的方法，就是控制电流，所以我们对于电流的精确控制显得很有必要的了，交流变换器模型为:

        其中被控对象1为等直径硅碳棒两端的电压，被控对象2为等直径硅碳棒温度，主副控制器未确定。

        利用比例积分控制器PI，同时结合上述框图并取其模型如下:以某企业数据，计算得到等直径硅碳棒电流一温度基针对等直径硅碳棒表面温度和电气结构的问题，本文提出了一种改进无模型自适应控制方法;建立了等直径硅碳棒表面温度与电流和热电源的双闭环控制系统数学模型;利用误差变化率与控制变化率为性能指标，用伪雅克比在等价数据点处等价线性化，求得无模型自适应控制器;增大控制输入差值周期，保证了温度控制系统稳定性，提高了系统对于温度控制的控制精度和动态性能。

        现役大型多晶硅还原炉由于内部流场和温度场不均匀，存在产品性能差的问题，因此提出在原料出口增设内接管来改善炉内流场和温度场的均匀性问题。利用Solidork、建模软件建立48对棒多晶硅CVD还原炉模型，对其进行数值模拟得到不同等直径硅碳棒生长阶段下的尾气温度的模拟结果，拟合实际温度验证模型的准确性，进一步对模型网格进行网格无关性验证，验证模拟的准确性。通过对其流场和温度场的截面分析得出:在出口处设置高度为500 mm的上端封闭式内接管，有利于增加还原炉内部物料在炉内的停留时间和多晶硅的均匀沉积。因此在还原炉出口处安装内接管，有利于改善炉内物料停留时间以及流场和温度场的均匀分布，提高多晶硅沉积致密性和均匀性。

        多晶硅是制造计算机芯片、太阳能电池板和传感器等高科技产品的主要原料，是硅产业链中极其重要的基础产物。国内多晶硅生产大多数采用改良西门子法，其中CVD还原炉是改良西门子法的核心设备，主要发生氢气还原三氯氢硅气相沉积硅的过程。气体通过底盘进口喷射进入炉体内部，在CVD还原炉中停留一段时间充分反应后废气从出口排出。改良西门子法虽然已经很成熟，但是其巨大的能耗一直是一个较难解决的问题。现役CVD还原炉出口单一，出口处气体涌进出口容易形成涡流导致流场不均匀，影响硅的均匀沉积，产生等直径硅碳棒“倒棒”。http://www.guitanbang.net.cn/

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